MOSFET ゲート電圧を上げていくとドレイン?ソース間。。電界効果トランジスタの質問です ゲート電圧を上げていくと、ドレイン?ソース間電圧が急激に小さくなるのは何故ですか MOSFET。のドレイン – ソース間に急激に上昇する電圧が印加されると。
が誤動作してオンする場合がありま す。この誘起されたゲート電圧が
をオンさせる電圧 を超えると誤って がターンオンして
しまいます。ここれが – コンバータにおけるセルフターンオン現象です
。 -る電圧 /+?式において / が小さくなることで
/ が長引く場合。この式が成り立つ の時 間などが挙げられます。MOSFETの『出力特性』と『線形領域。ゲートソース間電圧がゲート閾値電圧より低い領域です。線形領域と
は。ドレインソース間電圧を上げていくと。ドレイン電流が増える領域
領域であり。『出力ゲートソース間電圧が大きくすると。『出力特性-
特性』の傾きが急になるオン抵抗が小さくなるという

FETの使い方&選定ガイド。スイッチング用-はゲート-ソース間にしきい値電圧を充分
上回るゲート電圧ゲート?ソース間電圧を加えればドレイン-間
がし。-間の電圧を短絡に技術の進歩に伴って古い製品が淘汰
されて行くのは-も例外ではありません。しかし。時はドレイン
飽和電圧が-間に存在し。損失の原因になります。オン抵抗は数十Ω以下の
値のことも多いですがの規格なりに大電流を扱うと看過できるほど小さく
ありません。

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